psram偽靜態(tài)存儲器EMI132LA16LM-70I內(nèi)存擴展方案
2026-05-14 10:48:23
PSRAM也叫偽靜態(tài)隨機存儲器,它對外呈現(xiàn)的是類SRAM的接口協(xié)議:只要給出地址、發(fā)起讀或?qū)懨?,就能直接完成?shù)據(jù)存取,完全不需要像DRAM那樣依賴內(nèi)存控制器進行周期性的刷新操作。這使得PSRAM在硬件連接和控制邏輯上都相當(dāng)簡潔。
以
英尚代理偉凌創(chuàng)芯EMI推出的EMI132LA16LM-70I為例,這款psram芯片采用2M x 16的組織架構(gòu),總?cè)萘窟_到32Mb,工作電壓穩(wěn)定在2.7V~3.3V,讀寫速度為60~70ns,封裝形式為48-ball BGA,非常適合作為MCU的外擴內(nèi)存。它的內(nèi)部存儲單元卻采用了DRAM的架構(gòu)——也就是1T1C(一個晶體管加一個電容)構(gòu)成一個存儲單元,而傳統(tǒng)SRAM需要6個晶體管才能實現(xiàn)同樣的功能。正是這種“DRAM核心+SRAM接口”的混合設(shè)計,讓PSRAM偽靜態(tài)存儲器在繼承DRAM高密度、低成本優(yōu)勢的同時,又保留了SRAM使用方便的特點。
psram偽靜態(tài)存儲器EMI132LA16LM-70I優(yōu)勢
第一,高密度與低成本。由于采用了DRAM的單元結(jié)構(gòu),同樣芯片面積下,PSRAM能夠?qū)崿F(xiàn)遠大于SRAM的存儲容量,而且單位容量的成本明顯低于同等規(guī)格的SRAM。
第二,接口簡單,易于集成。PSRAM的并行接口與SRAM幾乎完全兼容,不需要額外的DRAM控制器,對于習(xí)慣使用標(biāo)準(zhǔn)并口的MCU、DSP或SoC來說,幾乎可以像外掛SRAM一樣直接使用,大幅降低了硬件設(shè)計和軟件驅(qū)動的復(fù)雜度。
第三,待機功耗控制出色。PSRAM內(nèi)部集成了自刷新電路,當(dāng)主處理器進入睡眠或低功耗模式時,PSRAM能夠自行維持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失,系統(tǒng)整體功耗得以顯著降低。這一特性在電池供電的便攜設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點等場景中尤其重要。
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