在半導(dǎo)體行業(yè)，性能擴(kuò)展一直是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的核心動(dòng)力。隨著人工智能、5G、云計(jì)算和汽車(chē)電子等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的帶寬、功耗、尺寸和可靠性提出了更高要求。異構(gòu)集成技術(shù)正成為突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑，而DRAM作為其中不可或缺的一環(huán)，正迎來(lái)全新的設(shè)計(jì)與應(yīng)用變革。
 

作為一家同時(shí)具備存儲(chǔ)與邏輯設(shè)計(jì)能力的半導(dǎo)體供應(yīng)商，Etron Technology面向多樣化的終端場(chǎng)景，推出了多款創(chuàng)新型DRAM產(chǎn)品。其中，針對(duì)AI邊緣設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端對(duì)高帶寬、小尺寸和低功耗的嚴(yán)苛需求，Etron率先推出了全球首款采用扇入式晶圓級(jí)封裝的DRAM——RPC DRAM®。該產(chǎn)品在保證高帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，大幅縮小了封裝尺寸，非常適合用于可穿戴設(shè)備、微型AI攝像頭等對(duì)空間和能耗極為敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
 

除了RPC DRAM®，Etron還針對(duì)AI邊緣計(jì)算設(shè)備開(kāi)發(fā)了具備長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持時(shí)間的高帶寬DRAM。通過(guò)采用不同類(lèi)型的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM），其數(shù)據(jù)傳輸速率覆蓋從10GB/s到400GB/s的寬范圍，能夠匹配當(dāng)前主流及下一代AI SoC對(duì)計(jì)算吞吐量的持續(xù)增長(zhǎng)需求。同時(shí)，Etron還可根據(jù)客戶(hù)具體需求，提供集成控制器與DRAM的一站式方案，降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
 

作為Etron的授權(quán)代理，我們提供多種型號(hào)的DRAM產(chǎn)品，可為您匹配完整的存儲(chǔ)解決方案。如需進(jìn)一步了解技術(shù)參數(shù)或選型建議，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們。

本文關(guān)鍵詞：DRAM
 

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