everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，由131,072個8位字組成。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。
 
與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在內存中隨機發(fā)生，而兩次寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用，MR25H10是理想的存儲器解決方案。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標志封裝。兩者均與串行EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。該系列產(chǎn)品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替換Cypress的型號FM24V10.
 
MR25H10可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。
 
對于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001級合格選項。40MHz的讀寫速度，具有無限的耐力。數(shù)據(jù)非易失性，保留20年。數(shù)據(jù)保留掉電。符合RoHS的軟件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•無寫入延遲
•無限的寫續(xù)航力
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•塊寫保護
•快速，簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標準的小標志
包裝
•直接替換串行EEPROM，閃存，F(xiàn)eRAM
•AEC-Q1001級選件

1Mb串口MRAM芯片其他型號如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1

我司供應不同容量的MRAM芯片產(chǎn)品，型號可參考以下鏈接：

http://m.cdbsj.com/list-180-1.html

 本文關鍵詞：everspin  SPI MRAM  MR25H10 

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