鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲器是一款非易失性存儲器產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點。
 
近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其密度堪稱Fujitsu SPI接口FRAM產(chǎn)品系列之最。
 
富士通MB85RQ8MLX是一款容量為8Mbit的非易失性鐵電存儲器，該產(chǎn)品可在1.7V至1.95V的低電源電壓下工作。這種新的Quad SPI接口FRAM通過四個I/O引腳和108MHz的工作頻率實現(xiàn)了54MB/s的數(shù)據(jù)讀取/寫入速度。它比運行在50MHz的其他SPI接口FRAM產(chǎn)品快8倍以上，后者以6.25MB/s的速度傳輸數(shù)據(jù)。
 
這款新產(chǎn)品在高達105℃的高溫環(huán)境中以最高108MHz的工作頻率實現(xiàn)了每秒54MB的快速數(shù)據(jù)傳輸速率，同時具有高速運行和非易失性，非常適合高性能計算(HPC)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)計算，如可編程邏輯控制器(PLC)、人機界面(HMI)和RAID控制器。
 
MB85RQ8MLX將工作溫度范圍的上限從一般產(chǎn)品的85℃擴展到了105℃，在工業(yè)計算中，由于高速數(shù)據(jù)處理導致計算單元中的環(huán)境溫度升高，因此需要保證電子元件在高溫環(huán)境中運行。MB85RQ8MLX滿足了工業(yè)使用中的關(guān)鍵要求。
 
鐵電存儲器FRAMMB85RQ8MLX不需要任何數(shù)據(jù)備份電池，并為使用低功耗SRAM作為緩沖器的客戶帶來無需電池的計算成本優(yōu)勢。
 
富士通半導體存儲器解決方案專注于高品質(zhì)和高可靠性的非易失性存儲器，如鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和電阻式隨機存取存儲器 (ReRAM)。這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲器。即使在電源關(guān)閉時也能保留存儲的數(shù)據(jù)，并且可以隨機訪問。FRAM具有獨特的功能，包括更高的寫入速度、更大的讀/寫循環(huán)耐久性和更低的功耗。FRAM用于廣泛的應用，例如IC卡、RFID標簽.

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