Everspin了解客戶在工業(yè)市場(chǎng)中對(duì)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過(guò)避免使用其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)所需的糾錯(cuò)碼和磨損均衡方案來(lái)簡(jiǎn)化和加速產(chǎn)品開發(fā)。
 
Everspin的16兆位非易失性存儲(chǔ)芯片MR4A16BMA35 MRAM專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性和速度的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有市場(chǎng)上最快的非易失性存儲(chǔ)器、對(duì)稱的讀/寫性能和無(wú)限的耐用性，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員受益匪淺。這些內(nèi)存功能可確保自動(dòng)化設(shè)計(jì)人員在每次發(fā)生電源中斷時(shí)都能確定性且安全地保留過(guò)程數(shù)據(jù)。除了性能之外，該技術(shù)還允許無(wú)電池生態(tài)設(shè)計(jì)。是一款適用于自動(dòng)化控制器的存儲(chǔ)器芯片。
 
Everspin MR4A16BMA35R容量為16Mb，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：1Mb*16，總線速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線接口，數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。這款并行mram器件能夠在商業(yè)級(jí)（0至+70℃）、工業(yè)級(jí)（-40至+85℃）與擴(kuò)展級(jí)（-40至+105℃）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。MR4A16B采用48引腳球柵陣列(BGA)小型封裝和54引腳微小外形封裝(TSOPII)。Everspin代理英尚微電子供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
 
此款并口MRAM存儲(chǔ)器真正無(wú)限次擦除使用，最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間超過(guò)20年的非揮發(fā)特性，可取代多種存儲(chǔ)器，集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身，采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責(zé)任方面的問(wèn)題。

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